场效应管产品

场效应管

JY4N5M TO-220F 场效应管

N 沟道平面工艺高压 MOSFET，耐压 500V、电流 4A、导通电阻 2.0Ω，TO-220F 全包封，用于照明驱动与开关电源。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY8N5M TO-252 场效应管

N 沟道平面工艺高压 MOSFET，耐压 500V、电流 8A、导通电阻 0.75Ω，TO-252 贴片封装，适合照明与高效开关电源。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY05M TO-252 场效应管

N 沟道沟槽 MOSFET，100V/30A、导通电阻 30mΩ，TO-252 贴片封装，用于功率开关、LED 背光升压与高频硬开关。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY2504NPM DFN5*6 场效应管

N+P 沟道互补 ±40V MOSFET，N 沟 30A/12mΩ、P 沟 -25A/28mΩ，DFN5×6 封装，用于 H 桥与逆变电路。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY2605M DFN5*6 场效应管

双 N 沟道 60V 沟槽 MOSFET，电流 50A、导通电阻 14mΩ，DFN5×6 封装，适合同步整流、功率开关等低损耗大电流场合。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY12M SOP-8 场效应管

N+P 沟道互补 30V MOSFET，N 沟 20mΩ/8.5A、P 沟 45mΩ/5.5A，SOP-8 封装，适合手机笔记本供电开关。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY09M TO-252 场效应管

与 JY09M 同规格的 TO-252 贴片版本，70V/90A、导通电阻 6.8mΩ，适合空间受限的大电流功率开关与 UPS 电路。

适配产品资料与技术参数 详情

场效应管

JY09M TO-220 场效应管

N 沟道沟槽功率 MOSFET，70V/90A、导通电阻 6.8mΩ，TO-220 直插封装，适合大电流功率开关与 UPS。

适配产品资料与技术参数 详情