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N 沟道沟槽 MOSFET,100V/30A、导通电阻 30mΩ,TO-252 贴片封装,用于功率开关、LED 背光升压与高频硬开关。
产品型号
JY05M TO-252
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可获取
内容状态
标准产品
更新时间
2026-11-11
该产品采用最新沟槽工艺技术,实现高元胞密度,凭借高重复雪崩额定特性降低导通电阻。上述特性协同作用,使该器件具备极高能效与可靠性,可广泛应用于功率开关及各类其他场景。
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