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N 沟道平面工艺高压 MOSFET,耐压 500V、电流 8A、导通电阻 0.75Ω,TO-252 贴片封装,适合照明与高效开关电源。
产品型号
JY8N5M TO-252
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可获取
内容状态
标准产品
更新时间
2026-11-11
该器件采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量,开关效率高、抗冲击可靠性强,适用于各类功率开关及通用电路
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