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JY01评估板

JYQD_V6.7 电机驱动板

12V/24V 输入、3A 输出的有刷直流电机驱动板，0–5V 线性调速，用于小型小车、微型输送机构、云台马达等场合。

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场效应管

JY4N5M TO-220F 场效应管

N 沟道平面工艺高压 MOSFET，耐压 500V、电流 4A、导通电阻 2.0Ω，TO-220F 全包封，用于照明驱动与开关电源。

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场效应管

JY8N5M TO-252 场效应管

N 沟道平面工艺高压 MOSFET，耐压 500V、电流 8A、导通电阻 0.75Ω，TO-252 贴片封装，适合照明与高效开关电源。

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场效应管

JY05M TO-252 场效应管

N 沟道沟槽 MOSFET，100V/30A、导通电阻 30mΩ，TO-252 贴片封装，用于功率开关、LED 背光升压与高频硬开关。

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栅极预驱芯片

JY213H SOP-20 栅极预驱芯片

三相半桥栅极驱动芯片，三路独立高低侧输出，内置死区时间、直通保护与欠压锁定，SOP-20 封装，驱动高速 MOS 与 IGBT。

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电源管理芯片

JY317P TO-252 电源芯片

三端可调线性稳压器，输出电流 1.5A，内置精密基准与过流、短路、过温保护，TO-252 封装，适合对稳定性要求较高的供电场合。

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场效应管

JY2504NPM DFN5*6 场效应管

N+P 沟道互补 ±40V MOSFET，N 沟 30A/12mΩ、P 沟 -25A/28mΩ，DFN5×6 封装，用于 H 桥与逆变电路。

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场效应管

JY2605M DFN5*6 场效应管

双 N 沟道 60V 沟槽 MOSFET，电流 50A、导通电阻 14mΩ，DFN5×6 封装，适合同步整流、功率开关等低损耗大电流场合。

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场效应管

JY12M SOP-8 场效应管

N+P 沟道互补 30V MOSFET，N 沟 20mΩ/8.5A、P 沟 45mΩ/5.5A，SOP-8 封装，适合手机笔记本供电开关。

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