场效应管资料

JY4N5M TO-220F 数据手册下载（500V/4A 高压 MOSFET）

JY4N5M 500V 平面工艺高压 MOSFET 数据手册，5 页 PDF，含 4A 电流、2.0Ω 导通电阻、照明驱动应用及 TO-220F 全包封尺寸。

PDF 1.6 MB 5 页 更新于 2026-07-21
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资料说明

这份资料包含什么

JY4N5M 500V 平面工艺高压 MOSFET 数据手册，5 页 PDF，含 4A 电流、2.0Ω 导通电阻、照明驱动应用及 TO-220F 全包封尺寸。

文档名称
JY4N5M TO-220F
文档类型
场效应管资料
文件格式
PDF（5 页）
文件大小
1.6 MB
发布日期
2026-07-21
下载次数
14
核心参数

关键指标速览

器件类型 N 沟道平面工艺高压 MOSFET
封装 TO-220F（全包封）
耐压 VDS 500V
电流 ID 4A
导通电阻 2.0Ω @ VGS=10V

以上为选型常用指标，完整电气特性、极限参数与测试条件见规格书正文。

对应产品

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JY4N5M TO-220F 场效应管

JY4N5M TO-220F

N 沟道平面工艺高压 MOSFET，耐压 500V、电流 4A、导通电阻 2.0Ω，TO-220F 全包封，用于照明驱动与开关电源。

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